NTH4L022N120M3S

onsemi
863-NTH4L022N120M3S
NTH4L022N120M3S

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về onsemi NTH4L022N120M3S

Có hàng: 1,634

Tồn kho:
1,634 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$19.42 $19.42
$12.73 $127.30
$12.44 $1,244.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
68 A
30 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
151 nC
- 55 C
+ 175 C
352 W
Enhancement
EliteSiC
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 13 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 34 S
Đóng gói: Tube
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 24 ns
Sê-ri: NTH4L022N120M3S
Số lượng Kiện Gốc: 450
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 48 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 18 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

MOSFET cacbua silic (SiC) NTH4L022N120M3S

Các MOSFET cacbua silic (SiC) onsemi NTH4L022N120M3S thuộc dòng MOSFET SiC phẳng 1200V M3S. Sản phẩm onsemi NTH4L022N120M3S được tối ưu hóa cho các ứng dụng chuyển mạch nhanh. Công nghệ Phẳng hoạt động đáng tin cậy với các bộ điều khiển điện áp cổng âm và ngắt khi điện áp tăng vọt trên cổng. Các MOSFET này có hiệu suất tối ưu khi được điều khiển bằng bộ điều khiển cổng 18V nhưng cũng hoạt động tốt với bộ điều khiển cổng 15V.

M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are optimized for fast switching applications. The planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. The onsemi M3S 1200V MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The M3S offers low switching losses and is housed in a TO247-4LD package for low common source inductance.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.