NTMFS4D2N10MDT1G

onsemi
863-NTMFS4D2N10MDT1G
NTMFS4D2N10MDT1G

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
Không Lưu kho
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$3.00 $3.00
$2.10 $21.00
$1.46 $146.00
$1.29 $645.00
$1.24 $1,240.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1500)
$1.05 $1,575.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
100 V
113 A
4.3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
132 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: onsemi
Loại sản phẩm: MOSFETs
Sê-ri: NTMFS4D2N10MD
Số lượng Kiện Gốc: 1500
Danh mục phụ: Transistors
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Công nghệ PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel MOSFETs that minimize on-state resistance and maintain superior switching performance with best-in-class soft body diode. These MOSFET offers lower Qrr compared to other MOSFETs. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs lower switching noise/electromagnetic interference (EMI). These MOSFETs feature low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses. The Shielded Gate PowerTrench MOSFETs come in a small PQFN8 package with 5mm x 6mm dimensions for compact designs. Typical applications include synchronous rectification (SR), AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB Power Delivery) SR, and load switches.