Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NVMFWS1D3N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D3N04XMT1G
Price: 2.31 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-VMFWS1D3N04XMT1G

Số nhà sản xuất:

NVMFWS1D3N04XMT1G

Nsx:

onsemi

Mô tả:

MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NVMFWS1D3N04XMT1G Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NVMFWS1D3N04XMT1G

Có hàng: 5,990

Tồn kho:: 5,990 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 52 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$2.31	$2.31
	$1.48	$14.80
	$1.01	$101.00
	$0.836	$418.00
	$0.774	$774.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1500)
	$0.68	$1,020.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	DFNW-5
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	40 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	195 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	1.3 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	3.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	38.6 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	90 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	5.2 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	105 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	6.2 ns
Sê-ri:	NVMFWS1D3N04XM
Số lượng Kiện Gốc:	1500
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	30.4 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	19.1 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NVMFWS1D3N04XMT1G Bảng dữ liệu

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.