Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

SBC846BPDW1T3G

Name: onsemi SBC846BPDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-SBC846BPDW1T3G
Price: 0.35 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-SBC846BPDW1T3G

Số nhà sản xuất:

SBC846BPDW1T3G

Nsx:

onsemi

Mô tả:

Bipolar Transistors - BJT NPN PNP Bipolar Transistor

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

SBC846BPDW1T3G Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi SBC846BPDW1T3G

Có hàng: 9,600

Tồn kho:: 9,600 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 32 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$0.35	$0.35
	$0.237	$2.37
	$0.15	$15.00
	$0.093	$46.50
	$0.069	$69.00
	$0.061	$152.50
	$0.053	$265.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 10000)
	$0.045	$450.00
	$0.041	$820.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Bóng bán dẫn lưỡng cực - BJT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOT-363-6
Cực tính transistor:	NPN, PNP
Cấu hình:	Dual
Dòng cực góp DC tối đa:	100 mA
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	65 V
Điện áp cực góp-cực gốc VCBO:	80 V
Điện áp cực phát-cực gốc VEBO:	6 V
Pd - Tiêu tán nguồn:	380 mW
Tích độ tăng ích dải thông fT:	100 MHz
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Sê-ri:	BC846BPDW1
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Dòng cực góp liên tục:	100 mA, - 100 mA
Độ lợi cực góp/cực gốc DC hfe Tối thiểu:	200
Độ lợi dòng DC hFE Tối đa:	800
Loại sản phẩm:	BJTs - Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	10000
Danh mục phụ:	Transistors

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SBC846BPDW1T3G Bảng dữ liệu

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BC846BPDW1 Bipolar Transistors

onsemi BC846BPDW1 Bipolar Transistors are dual general-purpose transistors designed for low-power surface mount applications. These NPN/PNP transistors are housed in the SOT-363/SC-88 package. The BC846BPDW1 bipolar transistors are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and available in a PB-free package. These NPN/PNP transistors are halogen-free/BFR-free and are RoHS-compliant. The bipolar transistors are ideal for low-power surface mount applications.