UF3C065080K4S

onsemi
431-UF3C065080K4S
UF3C065080K4S

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về onsemi UF3C065080K4S

Có hàng: 583

Tồn kho:
583 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
31 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$9.84 $9.84
$6.38 $63.80

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: PH
Thời gian giảm: 8 ns
Đóng gói: Tube
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 20 ns
Sê-ri: UF3C
Số lượng Kiện Gốc: 600
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 37 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 21 ns
Đơn vị Khối lượng: 6 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Models

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.