UF3SC065030B7S

onsemi
431-UF3SC065030B7S
UF3SC065030B7S

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-7

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Sẵn có

Tồn kho:
56,800 Có thể Giao hàng trong 20 Ngày
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$23.16 $23.16
$16.79 $167.90
$16.74 $1,674.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
$16.74 $13,392.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
62 A
27 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
43 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
SiC FET
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 11 ns, 9 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Sản phẩm: SiC FETs
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 26 ns, 28 ns
Sê-ri: UF3SC
Số lượng Kiện Gốc: 800
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Loại: SiC FET
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 46 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 23 ns
Đơn vị Khối lượng: 4.675 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK

onsemi UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK-7L (7-lead Kelvin package) are based on a unique 'cascode' circuit configuration and feature excellent reverse recovery. This circuit configuration includes a normally-on SiC JFET to be co-packaged with Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow true “drop-in replacement” to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These high-performance SiC FETs operate at 175°C maximum temperature, 43nC low gate charge, and 5V typical threshold voltage. Typical applications include telecom and server power, motor drives, induction heating, and industrial power supplies.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs

onsemi UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs are silicon carbide devices with low RDS(on) of 7mΩ to 45mΩ built for fast switching speeds and lower switching losses. These devices are based on a unique cascode circuit configuration and exhibit an ultra-low gate charge. The cascode configuration employs a normally-on SiC JFET co-packaged with a Silicon MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow a true "drop-in replacement" to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These SiC FETs include low intrinsic capacitance and excellent reverse recovery. onsemi UF3SC FETs operate at -55°C to +175°C temperature range and a -20V to +20V gate-source voltage range. These SiC FETs are ideal for electric-vehicle (EV) charging, photovoltaic (PV) inverters, motor drives, switch-mode power supplies, power factor correction (PFC) modules, and induction heating. The onsemi UF3SC SiC FETs are available in TO-247-3L and TO-247-4L package options for faster switching and clean gate waveforms.