Combo-FETs

onsemi Combo-FETs are revolutionary devices that combine a low RDS(on) onsemi SiC JFET with a Si MOSFET in a single, compact package. Explicitly designed for low-frequency protection applications, such as solid-state circuit breakers, battery disconnects, and surge protection, these Combo-FETs allow users access to the JFET gate to optimize the design. Integrating the Si MOSFET in these onsemi Combo-FETs ensures a normally off solution, achieving a size reduction of over 25% compared to discrete implementations.

Kết quả: 5
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ Kiểu gắn Đóng gói / Vỏ bọc Cực tính transistor Cấu hình Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn Vgs - Điện áp đánh thủng cực cổng-cực nguồn Dòng cực máng-cực nguồn ở Vgs=0 Id - Dòng cực máng liên tục Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn Pd - Tiêu tán nguồn Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Sê-ri Đóng gói
onsemi JFETs UG4SC075005L8S 1,793Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFETs 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4 577Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4 627Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFETs 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4 345Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFETs 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4 558Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube