Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NTH4L018N075SC1

Name: onsemi NTH4L018N075SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L018N075SC1
Price: 23.37 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NTH4L018N075SC1

Số nhà sản xuất:

NTH4L018N075SC1

Nsx:

onsemi

Mô tả:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 750V

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NTH4L018N075SC1 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NTH4L018N075SC1

Có hàng: 900

Tồn kho:: 900 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$23.37	$23.37
	$16.90	$169.00
	$15.76	$1,576.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	750 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	99 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	18 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.3 V
Qg - Điện tích cực cổng:	262 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	500 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	EliteSiC
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Quốc gia Hội nghị:	Not Available
Quốc gia phân phối:	Not Available
Quốc gia xuất xứ:	CN
Thời gian giảm:	9.6 ns
Đóng gói:	Tube
Sản phẩm:	SiC MOSFETS
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	24 ns
Sê-ri:	NTH4L018N075SC1
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	46 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	24 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NTH4L018N075SC1 Bảng dữ liệu

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTH4L018N075SC1 N-Channel SiC MOSFET

onsemi NTH4L018N075SC1 N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a low ON resistance, 750V M2 EliteSiC MOSFET available in a compact TO247-4L package. This SiC MOSFET supports high-speed switching with low capacitance (C_oss = 365pF), zero reverse recovery current of the body diode, and Kelvin source configuration. The NTH4L018N075SC1 SiC MOSFET features Q_G(tot) = 262nC ultra-low gate charge, -8V/+22V gate-to-source voltage, and 500W power dissipation. Typical applications include solar inverters, EV charging stations, energy storage systems, Uninterruptible Power Supplies (UPS), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).