Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NVBG025N065SC1

Name: onsemi NVBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG025N065SC1
Price: 26.05 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NVBG025N065SC1

Số nhà sản xuất:

NVBG025N065SC1

Nsx:

onsemi

Mô tả:

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V

Bảng dữ liệu:

NVBG025N065SC1 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NVBG025N065SC1

Có hàng: 68

Tồn kho:: 68 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Số lượng lớn hơn 68 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$26.05	$26.05
	$20.48	$204.80
	$20.45	$2,045.00
	$20.16	$10,080.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
	$19.49	$15,592.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	D2PAK-7
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	106 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	28.5 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.3 V
Qg - Điện tích cực cổng:	164 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	395 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	EliteSiC
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	8 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	27 S
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	19 ns
Sê-ri:	NVBG025N065SC1
Số lượng Kiện Gốc:	800
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	32 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	17 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NVBG025N065SC1 Bảng dữ liệu

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVBG025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVBG025N065SC1 features low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).