NTHL022N120M3S

onsemi
863-NTHL022N120M3S
NTHL022N120M3S

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 252

Tồn kho:
252 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$17.36 $17.36
$12.64 $126.40
$12.33 $1,233.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
68 A
30 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
139 nC
- 55 C
+ 175 C
352 W
Enhancement
EliteSiC
Nhãn hiệu: onsemi
Thời gian giảm: 14 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 34 S
Đóng gói: Tube
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 50 ns
Sê-ri: NTHL022N120M3S
Số lượng Kiện Gốc: 450
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 44 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 19 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

NTHL022N120M3S EliteSiC Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTHL022N120M3S EliteSiC Silicon Carbide MOSFET is a 1200V, M3S, planar device optimized for fast switching applications. Planar technology reliably works with a negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. NTHL022N120M3S offers optimum performance when driven with an 18V gate drive (also works with a 15V gate drive). Available in a TO-247-3L package, the NTHL022N120M3S is ideal for industrial, UPS/ESS, solar, and EV charger applications.