Vui lòng xác nhận lựa chọn đơn vị tiền tệ của bạn:
Đô-la Mỹ Incoterms:FCA (Điểm vận chuyển) thuế quan, phí hải quan và thuế được thu tại thời điểm giao hàng. Vận chuyển miễn phí với hầu hết các đơn hàng qua $150 (USD)
Hình ảnh chỉ để tham khảo Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
Chia sẻ điều này
Không thể tạo ra liên kết tại thời điểm này. Vui lòng thử lại.
GaNEXUS™ GaN FETs
onsemi GaNEXUS™ Gallium Nitride Field-Effect Transistors (GaN FETs) use wide-bandgap material properties of GaN to deliver fast switching, low gate and output charge, and enhanced efficiency compared to silicon power transistors. These features enable higher operating frequencies, increased power density, and reduced magnetics in power conversion applications across low-, medium-, high-, and ultra-high voltages. The enhancement-mode discrete GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) offer a voltage range from 40V to 650V, including 650V GaNEXUS Smart GaN FETs with integrated protections to improve reliability and simplify system integration. Ideal applications for the onsemi GaNEXUS family include industrial automation, robotics, AI data centers, automotive electrification, and energy infrastructure.
