Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NDSH40120CDN

Name: onsemi NDSH40120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH40120CDN
Price: 16.47 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NDSH40120CDN

Số nhà sản xuất:

NDSH40120CDN

Nsx:

onsemi

Mô tả:

SiC Schottky Diodes Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 40 A, 1200 V, D3, TO-247-3L

Bảng dữ liệu:

NDSH40120CDN Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NDSH40120CDN

Có hàng: 1,198

Tồn kho:: 1,198 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 11 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$16.47	$16.47
	$11.52	$115.20
	$10.16	$1,016.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:
REACH - SVHC:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-3LD
Cấu hình:	Dual Anode Common Cathode
If - Dòng thuận:	52 A
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại:	1.2 kV
Ff - Điện áp thuận:	1.36 V
Ifsm - Dòng tăng thuận:	123 A
Ir - Dòng ngược:	2.39 uA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Sê-ri:	NDSH40120CDN
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	onsemi
Pd - Tiêu tán nguồn:	217 W
Loại sản phẩm:	SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	Diodes & Rectifiers
Thương hiệu:	EliteSiC
Vr - Điện áp ngược:	1.2 kV

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NDSH40120CDN Bảng dữ liệu

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Cloud Power Management Solutions

onsemi Cloud Power Management Solutions offers computing and connectivity essential for infrastructure. onsemi Cloud Power Management Solutions' power is critical for processors, memory banks, and wireless base stations. As operations shift to the Cloud, the importance of efficiency and reliability grows. AI servers, in particular, require a reliable power source to ensure optimal performance and efficiency, making solutions crucial for maintaining the integrity and functionality of AI-driven operations. onsemi provides diverse solutions for AC-DC conversion, multiphase conversion, point-of-load supplies, and hot-swap protection to support various power needs in cloud infrastructure. Cutting-edge technology, dependable performance, and deep application expertise make onsemi an ideal partner for powering data in today’s environment, whether in base stations, servers, or data centers.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

Đi-ốt SCHOTTKY Silicon Carbide (SiC) NDSH40120CDN

Silicon Carbide (SiC) SCHOTTKY Rate NDSH40120CDN của Onsemi cung cấp hiệu suất chuyển mạch vượt trội và độ ổn định cao hơn Silicon. Đi-ốt của onsemi không có dòng phục hồi ngược, đặc tính chuyển mạch không phụ thuộc nhiệt độ và hiệu suất nhiệt tuyệt vời. Các lợi ích hệ thống bao gồm hiệu suất cao nhất, tần số hoạt động nhanh hơn, mật độ nguồn tăng, EMI giảm và kích thước hệ thống và chi phí giảm.