NVXK2TR40WXT

onsemi
863-NVXK2TR40WXT
NVXK2TR40WXT

Nsx:

Mô tả:
MOSFET Modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Tuổi thọ:
Mới tại Mouser
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 44

Tồn kho:
44 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$76.13 $76.13
$63.32 $633.20
$57.68 $6,921.60

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun MOSFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
27 A
59 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 55 C
+ 175 C
319 W
NVXK2TR40WXT
Tube
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Dual Half-Bridge
Thời gian giảm: 9 ns
Chiều cao: 5.8 mm
Chiều dài: 44.2 mm
Loại sản phẩm: MOSFET Modules
Thời gian tăng: 20 ns
Số lượng Kiện Gốc: 60
Danh mục phụ: Discrete and Power Modules
Thương hiệu: EliteSiC
Loại: Half-Bridge
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 30 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 17 ns
Chiều rộng: 29 mm
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8504409100
ECCN:
EAR99

NVXK2TR40WXT Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2TR40WXT Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 40mΩ, and 27A dual half-bridge EliteSiC power module housed in a APM32 Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed to have a low total module resistance. The NVXK2TR40WXT power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFET power module is ideally used in DC-DC and onboard chargers in xEV applications.