Mô-đun tích hợp nguồn (PIM) NXH80T120L3Q0

Mô-đun tích hợp nguồn (PIM) NXH80T120L3Q0 của onsemi có tầng biến tần ba cấp độ Kẹp Điểm Trung tính kiểu T (NPC). Biến tần ba cấp này bao gồm hai đi-ốt IGBT bán cầu 80A/1200V với đi-ốt bán cầu 40A/1200V. Mô-đun tích hợp nguồn NXH80T120L3Q0 có hai IGBT 50A/600V Kẹp Điểm Trung tính (NPC) với hai đi-ốt NPC 50A/600V. PIM này có thất thoát chuyển mạch, thất thoát dẫn điện thấp hơn, VCESAT thấp, cho phép các nhà thiết kế đạt được hiệu suất cao và độ tin cậy cao. Mô-đun tích hợp nguồn NXH80T120L3Q0 cung cấp các tùy chọn với vật liệu giao diện nhiệt (TIM) áp dụng trước và không áp dụng trước TIM, các tùy chọn với chân có thể hàn, chân nhấn vừa vặn và điện trở nhiệt. Mô-đun này cung cấp nhiệt độ khớp nối hoạt động tối đa 150°C (trong điều kiện chuyển mạch). Mô-đun tích hợp nguồn NXH80T120L3Q0 phù hợp với biến tần năng lượng mặt trời và nguồn cấp liên tục.

Kết quả: 3
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Dòng rò cực cổng-cực phát
Pd - Tiêu tán nguồn
Đóng gói / Vỏ bọc
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
onsemi IGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN TIM)
Bảng dữ liệu
23Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Modules 1.2 kV 75 A 300 nA 82 W Q0PACK - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (PRESS-FIT PIN)
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 22 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Modules 1.2 kV 75 A 300 nA 82 W Q0PACK - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN)
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 22 Tuần
Tối thiểu: 24
Nhiều: 24

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 75 A 300 nA 82 W Q0PACK - 40 C + 175 C Tray