Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NXVF6532M3TG01

Name: onsemi NXVF6532M3TG01
Brand: onsemi
SKU: 863-NXVF6532M3TG01
Price: 24.97 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NXVF6532M3TG01

Số nhà sản xuất:

NXVF6532M3TG01

Nsx:

onsemi

Mô tả:

SiC MOSFETs SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NXVF6532M3TG01 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NXVF6532M3TG01

Có hàng: 46

Tồn kho:: 46 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$24.97	$24.97
	$20.43	$204.30
	$18.05	$1,805.00
25,000	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	APM-16
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	4 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	31 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	44 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 8 V, + 22 C
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4 V
Qg - Điện tích cực cổng:	58 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	65.2 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Quad
Thời gian giảm:	9.2 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	12 S
Đóng gói:	Tube
Sản phẩm:	MOSFETs
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	6 ns
Sê-ri:	NXVF6532M3TG01
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại transistor:	4 N-Channel
Loại:	Half Bridge
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	33.2 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	8.4 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NXVF6532M3TG01 Bảng dữ liệu

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET Module is designed for demanding power conversion applications in automotive and industrial environments. Built with advanced Silicon Carbide (SiC) technology, the onsemi NXVF6532M3TG01 delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance. The module integrates four 32mΩ SiC MOSFETs in an H-Bridge configuration, making the device ideal for use in onboard chargers (OBCs), DC-DC converters, and electric vehicle (EV) powertrain systems. Housed in a compact APM16 package with integrated temperature sensing, the component supports high power density and reliable thermal management. The NXVF6532M3TG01 is AEC-Q101/Q200 and AQG324 qualified, ensuring automotive-grade reliability and performance in harsh operating conditions.