Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Kết quả: 16
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cấu hình
If - Dòng thuận
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại
Ff - Điện áp thuận
Ifsm - Dòng tăng thuận
Ir - Dòng ngược
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 06/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 06/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
780Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3