Đi-ốt SCHOTTKY Silicon Carbide Công suất

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Kết quả: 45
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cấu hình
If - Dòng thuận
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại
Ff - Điện áp thuận
Ifsm - Dòng tăng thuận
Ir - Dòng ngược
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Bảng dữ liệu
950Dự kiến 03/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Bảng dữ liệu
1,000Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Bảng dữ liệu
475Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2473L
Bảng dữ liệu
490Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Bảng dữ liệu
465Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Bảng dữ liệu
500Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
794Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Bảng dữ liệu
1,000Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Bảng dữ liệu
1,000Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
780Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Bảng dữ liệu
975Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Bảng dữ liệu
1,000Dự kiến 14/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Bảng dữ liệu
500Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SiCG4D2PAK2L
Bảng dữ liệu
800Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2202L
Bảng dữ liệu
1,000Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Bảng dữ liệu
500Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC Schottky Diodes SicG4TO-2472L
Bảng dữ liệu
500Dự kiến 27/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07LHM3 Tube