NVBG070N120M3S

onsemi
863-NVBG070N120M3S
NVBG070N120M3S

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về onsemi NVBG070N120M3S

Có hàng: 1,559

Tồn kho:
1,559 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
19 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$15.39 $15.39
$10.86 $108.60
$9.88 $988.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
$9.87 $7,896.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
25 A
87 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
172 W
Enhancement
EliteSiC
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 8.8 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 12 S
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 12 ns
Sê-ri: NVBG070N120M3S
Số lượng Kiện Gốc: 800
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 30 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 11 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a 1200V M3S planar EliteSiC MOSFET designed for fast switching applications. This MOSFET offers optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET features a 57nC ultra-low gate charge, 57pF high-speed switching with low capacitance, and 65mΩ typical drain-to-source ON resistance at VGS=18V. This MOSFET is 100% Avalanche tested, AEC-Q101 qualified, and PPAP capable. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET is available in a D2PAK-7L package and is Lead-free 2LI (on second-level interconnection) and RoHS compliant (with exemption 7a). Typical applications include automotive on-board chargers and DC/DC converters for EV/HEV.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.