Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

AFGHL50T65SQDC

Name: onsemi AFGHL50T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65SQDC
Price: 11.39 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-AFGHL50T65SQDC

Số nhà sản xuất:

AFGHL50T65SQDC

Nsx:

onsemi

Mô tả:

IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

Bảng dữ liệu:

AFGHL50T65SQDC Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi AFGHL50T65SQDC

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 900

Dự kiến 27/03/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 8

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$11.39	$11.39
	$6.73	$67.30
	$5.84	$584.00
	$5.62	$2,529.00
2,700	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Công nghệ:	SiC
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-3
Kiểu gắn:	Through Hole
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	650 V
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.6 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	- 20 V, 20 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	100 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	268 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Sê-ri:	AFGHL50T65SQDC
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	onsemi
IC dòng cực góp liên tục tối đa:	100 A
Dòng rò cực cổng-cực phát:	400 nA
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	IGBTs
Thương hiệu:	EliteSiC
Đơn vị Khối lượng:	7.326 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

AFGHL50T65SQDC Bảng dữ liệu

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT

onsemi AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT offers optimum performance with both low conduction and switching losses. The AFGHL50T65SQDC features 50A current and 650V collector to emitter voltage. The device is ideal for high-efficiency operations in various applications, specifically totem pole bridgeless PFC and inverters. The AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT is AEC-Q100 qualified for automotive applications.