Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NXV08H300DT1

Name: onsemi NXV08H300DT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H300DT1
Price: 79.29 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NXV08H300DT1

Số nhà sản xuất:

NXV08H300DT1

Nsx:

onsemi

Mô tả:

MOSFET Modules APM17-MDC MV7 80V AL2O3 2 PHASE

Bảng dữ liệu:

NXV08H300DT1 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NXV08H300DT1

Có hàng: 30

Tồn kho:: 30 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$79.29	$79.29
	$63.45	$634.50
	$60.07	$6,007.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	APM-17
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	80 V
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	650 uOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 125 C
Sê-ri:	NXV08H300DT1
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Half-Bridge
Thời gian giảm:	290 ns
Loại sản phẩm:	MOSFET Modules
Thời gian tăng:	475 ns
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	Discrete and Power Modules
Loại:	Automotive Power MOSFET Module
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	608 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	235 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NXV08H300DT1 Bảng dữ liệu

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NXV08H300DT1 MOSFET Module

onsemi NXV08H300DT1 MOSFET Module is a dual half bridge 80V automotive power MOSFET module with temperature sensing for 48V mild hybrid automotive applications. This 2-phase power MOSFET module is electrically isolated with Direct Bond Copper (DBC) substrate for low Rthjc. The NXV08H300DT1 module is compactly designed for low total module resistance, and the small, efficient, and reliable system design reduces vehicle fuel consumption and CO₂ emissions. The components inside the module are AEC-Q101 (MOSFET) and AEC-Q200 (passives) qualified. The NXV08H300DT1 power MOSFET module is ideally used in 48V inverter and 48V traction applications.