NVHL075N065SC1

onsemi
863-NVHL075N065SC1
NVHL075N065SC1

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 366

Tồn kho:
366 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$12.58 $12.58
$8.13 $81.30
$7.95 $954.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
38 A
85 mOhms
- 5 V, + 18 V
4.3 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
74 W
Enhancement
EliteSiC
Nhãn hiệu: onsemi
Thời gian giảm: 8 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 9 S
Đóng gói: Tube
Sản phẩm: Mosfets
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 26 ns
Sê-ri: NVHL075N065SC1
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 22 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 10 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVHL075N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVHL075N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are high-performance devices with exceptional characteristics. The onsemi NVHL075N065SC1 offers a typical RDS(on) of 57mΩ at a gate-source voltage (VGS) of 18V and 75mΩ at 15V. The device features ultra-low gate charge (QG(tot) = 61nC) and low output capacitance (Coss = 107pF), ensuring fast switching and reduced power losses.