FGHL75T65MQDTx Trench IGBTs

onsemi FGHL75T65MQDTx Trench IGBTs are 4th generation mid-speed IGBTs technology-packed with fully rated current diode. The FGHL75T65MQDTx IGBTs operate at 175°C maximum junction temperature, 650V collector to emitter voltage, and 75A collector current. These IGBTs feature positive temperature co-efficient for easy parallel operation, high current capability, smooth and optimized switching, and tight parameter distribution. The FGHL75T65MQDT is built in a TO247-3L package and the FGHL75T65MQDTL4 IGBT is built in a TO247-4L package. These IGBTs are ideal for applications in solar inverters, UPS, ESS, PFC, and converters.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Bảng dữ liệu
432Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDTL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Bảng dữ liệu
103Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDT Tube