FGY60T120SQDN 1200V 60A Ultra Field Stop IGBT

onsemi FGY60T120SQDN 1200V 60A Ultra Field Stop IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) features a robust and cost effective Ultra Field Stop Trench construction. The FGY60T120SQDN provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss. The FGY60T120SQDN also features an integrated soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage for fast recovery.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói
onsemi IGBTs 1200V, 60A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT
Bảng dữ liệu
70Có hàng
450Dự kiến 17/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3LD Through Hole Single 1.2 kV 2.25 V - 20 V, 20 V 105 A 635 W - 55 C + 175 C FGY60T120SWD Tube

onsemi IGBTs IGBT 1200V 60A UFS
Bảng dữ liệu
436Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 25 V, 25 V 120 A 517 W - 55 C + 175 C FGY60T120SQDN Tube