High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Kết quả: 71
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Tiêu chuẩn
Thương hiệu
onsemi SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
Bảng dữ liệu
412Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO2
Bảng dữ liệu
728Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247
Bảng dữ liệu
854Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220
Bảng dữ liệu
478Có hàng
2,000Dự kiến 20/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
Bảng dữ liệu
547Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
Bảng dữ liệu
393Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
Bảng dữ liệu
224Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247-4
Bảng dữ liệu
1,527Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
Bảng dữ liệu
688Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24
Bảng dữ liệu
590Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263
Bảng dữ liệu
751Có hàng
MouseReel Khả dụng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247
Bảng dữ liệu
683Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
Bảng dữ liệu
77Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24
Bảng dữ liệu
1,918Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4
Bảng dữ liệu
5Có hàng
600Dự kiến 07/08/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
Bảng dữ liệu
300Dự kiến 18/02/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Bảng dữ liệu
577Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-7
Bảng dữ liệu
56,800Hàng nhà máy có sẵn
Thêm Thông tin Sẵn có
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO247-4
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 31 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs 750V/10MOSICFETG4TOLL
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 28 Tuần
Tối thiểu: 2,000
Nhiều: 2,000
Rulo cuốn: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFETs UJ4SC075010L8S
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET