NXH600B100H4Q2F2S1G

onsemi
863-600B100H4Q2F2S1G
NXH600B100H4Q2F2S1G

Nsx:

Mô tả:
IGBT Modules FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G

Có hàng: 36

Tồn kho:
36 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$195.15 $195.15
$189.61 $1,896.10

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: Mô-đun IGBT
Si/SiC Hybrid Modules
Triple
1 kV
1.88 V
173 A
350 nA
422 W
PIM-56
- 40 C
+ 175 C
Tray
Nhãn hiệu: onsemi
Điện áp cực cổng cực phát tối đa: 20 V
Kiểu gắn: Screw Mount
Loại sản phẩm: IGBT Modules
Sê-ri: NXH600B100H4Q2F2S1G
Số lượng Kiện Gốc: 36
Danh mục phụ: IGBTs
Công nghệ: SiC, Si
Thương hiệu: EliteSiC
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC Hybrid Module

onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC Hybrid Module is a three-channel flying capacitor boost module. Each channel contains two 1000V, 200A IGBTs, and two 1200V, 60A SiC diodes. The module also contains an NTC thermistor. Applications include solar inverters and uninterruptible power supply systems.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.