Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NTH4L028N170M1

Name: onsemi NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L028N170M1
Price: 37.01 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NTH4L028N170M1

Số nhà sản xuất:

NTH4L028N170M1

Nsx:

onsemi

Mô tả:

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L

Bảng dữ liệu:

NTH4L028N170M1 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NTH4L028N170M1

Có hàng: 118

Tồn kho:: 118

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 450

Dự kiến 20/02/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 18

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$37.01	$37.01
	$28.09	$280.90

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.7 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	81 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	40 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.3 V
Qg - Điện tích cực cổng:	200 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	535 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	EliteSiC
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	13 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	31 S
Đóng gói:	Tube
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	18 ns
Sê-ri:	NTH4L028N170M1
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	121 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	47 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NTH4L028N170M1 Bảng dữ liệu

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

MOSFET EliteSiC 1.700 V NTH4L028N170M1

NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET của onsemi cho hiệu năng đáng tin cậy, hiệu quả cao dành cho các ứng dụng điều khiển công nghiệp và cơ sở hạ tầng năng lượng. MOSFET EliteSiC của onsemi có công nghệ phẳng hoạt động đáng tin cậy với các bộ điều khiển điện áp cổng âm và ngắt khi điện áp tăng vọt trên cổng. Thiết bị này có hiệu suất tối ưu khi được điều khiển bằng trình điều khiển cổng 20 V nhưng cũng hoạt động tốt với trình điều khiển cổng 18 V.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.