Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NDSH20120C

Name: onsemi NDSH20120C
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C
Price: 9.04 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NDSH20120C

Số nhà sản xuất:

NDSH20120C

Nsx:

onsemi

Mô tả:

SiC Schottky Diodes Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L

Bảng dữ liệu:

NDSH20120C Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NDSH20120C

Có hàng: 174

Tồn kho:: 174 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 13 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$9.04	$9.04
	$6.23	$62.30
	$4.98	$498.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:
REACH - SVHC:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-2
Cấu hình:	Single
If - Dòng thuận:	20 A
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại:	1.2 kV
Ff - Điện áp thuận:	1.38 V
Ifsm - Dòng tăng thuận:	119 A
Ir - Dòng ngược:	200 uA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Sê-ri:	NDSH20120C
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	onsemi
Pd - Tiêu tán nguồn:	214 W
Loại sản phẩm:	SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	Diodes & Rectifiers
Thương hiệu:	EliteSiC
Vr - Điện áp ngược:	1.2 kV

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NDSH20120C Bảng dữ liệu

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
ECCN:: EAR99

NDSH20120C Silicon Carbide (SiC) Diodes

onsemi NDSH20120C Silicon Carbide (SiC) Diodes provide superior switching performance and higher reliability than silicon. The onsemi NDSH20120C features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.