Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NVBLS1D2N08XTXG

Name: onsemi NVBLS1D2N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D2N08XTXG
Price: 5.67 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NVBLS1D2N08XTXG

Số nhà sản xuất:

NVBLS1D2N08XTXG

Nsx:

onsemi

Mô tả:

MOSFETs T10 80V SG TOLL

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NVBLS1D2N08XTXG Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NVBLS1D2N08XTXG

Có hàng: 470

Tồn kho:: 470

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 2,000

Dự kiến 02/03/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 19

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$5.67	$5.67
	$4.01	$40.10
	$3.47	$347.00
	$3.37	$1,685.00
	$3.27	$3,270.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2000)
	$3.20	$6,400.00
10,000	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	H-PSOF-8L
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	80 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	299 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	1.1 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	3.6 V
Qg - Điện tích cực cổng:	121 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	197 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	12 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	294 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	23 ns
Số lượng Kiện Gốc:	2000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	65 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	40 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NVBLS1D2N08XTXG Bảng dữ liệu (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVBLS1D2N08X MOSFET

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET features a low Q_RR, R_DS(on), and Q_G to minimize driver and conduction loss. The MOSFET is AEC-Q101-qualified for automotive 48V system applications. The device operates with an 80V drain-to-source voltage and 299A continuous drain current. The onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET is available in a H-PSOF8L package.