Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NSV40301MZ4T3G

Name: onsemi NSV40301MZ4T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSV40301MZ4T3G
Price: 1.04 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NSV40301MZ4T3G

Số nhà sản xuất:

NSV40301MZ4T3G

Nsx:

onsemi

Mô tả:

Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101

Bảng dữ liệu:

NSV40301MZ4T3G Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NSV40301MZ4T3G

Có hàng: 794

Tồn kho:: 794

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 8,000

Dự kiến 04/09/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 25

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1.04	$1.04
	$0.65	$6.50
	$0.425	$42.50
	$0.328	$164.00
	$0.297	$297.00
	$0.271	$542.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 4000)
	$0.245	$980.00
	$0.211	$1,688.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	Bóng bán dẫn lưỡng cực - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOT-223-4
Cực tính transistor:	NPN
Cấu hình:	Single
Dòng cực góp DC tối đa:	5 A
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	40 V
Điện áp cực góp-cực gốc VCBO:	40 V
Điện áp cực phát-cực gốc VEBO:	6 V
Pd - Tiêu tán nguồn:	2 W
Tích độ tăng ích dải thông fT:	215 MHz
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Tiêu chuẩn:	AEC-Q101
Sê-ri:	NSS40301MZ4
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Dòng cực góp liên tục:	3 A
Độ lợi dòng DC hFE Tối đa:	500
Loại sản phẩm:	BJTs - Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	4000
Danh mục phụ:	Transistors

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NSV40301MZ4T3G Bảng dữ liệu

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NSV40301MZ4 Bipolar Power Transistor

onsemi NSV40301MZ4 Bipolar Power Transistor is a combination of low saturation voltage and high gain low V_CE(sat) NPN transistor. This bipolar transistor features a 40V_DC collector-emitter voltage, 1A_DC base current, and -55°C to 150°C operating and storage Junction temperature range. The NSV40301MZ4 bipolar power transistor is Pb, Halogen/BFR free, and RoHS compliant. Typical applications include voltage regulation, power management for portable devices, switching regulators, motor controls, and DC-DC converters.