Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NTTFSSCH1D3N04XL

Name: onsemi NTTFSSCH1D3N04XL
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH1D3N04XL
Price: 2.93 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NTTFSSCH1D3N04XL

Số nhà sản xuất:

NTTFSSCH1D3N04XL

Nsx:

onsemi

Mô tả:

MOSFETs T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NTTFSSCH1D3N04XL Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NTTFSSCH1D3N04XL

Có hàng: 19

Tồn kho:: 19

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 20,000

Dự kiến 07/05/2027
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 27

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$2.93	$2.93
	$1.87	$18.70
	$1.30	$130.00
	$1.08	$540.00
	$0.994	$994.00
	$0.964	$2,410.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 5000)
	$0.906	$4,530.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	WDFN-9
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	40 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	207 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	1.3 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.2 V
Qg - Điện tích cực cổng:	28 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	107 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	4 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	123 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	5 ns
Sê-ri:	NTTFSSCH1D3N04XL
Số lượng Kiện Gốc:	5000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	43 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	18 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NTTFSSCH1D3N04XL Bảng dữ liệu

Mã Tuân Thủ

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Philippines
Quốc gia lắp ráp:: Philippines
Quốc gia phân phối:: Nhật Bản

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET is engineered to handle high currents, which is crucial for DC-DC power conversion stages. This 40V, 207A, single N-channel power MOSFET offers lower on-resistance, increased higher power density, and superior thermal performance. The shield gate trench design provides an ultra-low gate charge and 1.3mΩ R_DS(on). The compact 3.3mm x 3.3mm source-down dual cool GEN2 package is lead free, halogen free, BFR free, and RoHS compliant. onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET is designed to provide an efficient solution for data center and cloud applications.