NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a D2PAK-7L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTBG025N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Bảng dữ liệu
1,263Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Bảng dữ liệu
680Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC