NVB190N65S3F

onsemi
863-NVB190N65S3F
NVB190N65S3F

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về onsemi NVB190N65S3F

Có hàng: 1,520

Tồn kho:
1,520 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$5.26 $5.26
$3.49 $34.90
$2.49 $249.00
$2.20 $1,100.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
$2.14 $1,712.00
$2.05 $4,920.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
SuperFET III
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: CN
Quốc gia phân phối: KR
Quốc gia xuất xứ: CN
Thời gian giảm: 3 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 13 ns
Sê-ri: SuperFET3
Số lượng Kiện Gốc: 800
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 43 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 19 ns
Đơn vị Khối lượng: 4 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

SUPERFET III® 650V N-Channel MOSFET

onsemi SUPERFET III® 650V 190mΩ N-Channel MOSFET is ideal for various power systems for miniaturization and higher efficiency. The device utilizes charge balance technology for low on-resistance and lower gate-charge performance. The technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. SUPERFET III® 650V 190mΩ N-Channel MOSFETs are ideal for automotive onboard chargers and DC/DC converters for hybrid electric vehicles.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.