Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NTTFS007P02P8

Name: onsemi NTTFS007P02P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS007P02P8
Price: 1.17 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NTTFS007P02P8

Số nhà sản xuất:

NTTFS007P02P8

Nsx:

onsemi

Mô tả:

MOSFETs Power MOSFET, Single, P-Channel, -20V, 6.5mohm, -56A, PQFN8 3x3 P-Channel, -20V, 6.5m ohms, PQFN8 3x3

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NTTFS007P02P8 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NTTFS007P02P8

Có hàng: 2,100

Tồn kho:: 2,100 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 24 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1.17	$1.17
	$0.764	$7.64
	$0.633	$63.30
	$0.607	$303.50
	$0.586	$586.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.532	$1,596.00
	$0.50	$3,000.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PQFN-8
Cực tính transistor:	P-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	20 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	56 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	6.5 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	8 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1 V
Qg - Điện tích cực cổng:	44 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	30 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	68 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	80 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	33 ns
Sê-ri:	NTTFS007P02P8
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 P-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	119 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	19 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NTTFS007P02P8 Bảng dữ liệu (PDF)

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTTFS007P02P8 P-Channel Low/Medium Voltage MOSFET

onsemi NTTFS007P02P8 P-Channel Low/Medium Voltage MOSFET is built using high-performance PowerTrench technology for extremely low R_DS(on)switching performance and ruggedness. This P-channel MOSFET offers high power and current-handling capabilities in a widely used surface-mount package. The NTTFS007P02P8 MOSFET features -20V drain to source voltage, ±8V gate to source voltage, 3.8°C/W thermal resistance, junction to case, and 4.5Ω gate resistance. This P-channel MOSFET is Pb-free, Halide-free, and RoHS compliant. Typical applications include load switch, battery management, power management, and reverse polarity protection.