FGH4L40Tx 1200V/40A Field Stop Power IGBTs

onsemi FGH4L40Tx 1200V/40A Field Stop Power Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are engineered for high-efficiency switching in demanding power applications. These IGBTs feature low conduction and switching losses, ideal for use in motor drives, Uninterruptible Power Supply (UPS) systems, and renewable energy inverters. With robust short-circuit capability and soft switching performance, the IGBTs support high-frequency operation while maintaining thermal stability. The optimized design of the onsemi Field Stop technology-based FGH4L40Tx IGBTs enable reliable performance in both hard- and soft-switching topologies, helping designers meet stringent efficiency and power density requirements in industrial and energy-focused systems.

Kết quả: 3
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói
onsemi IGBTs FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L COPACK
Bảng dữ liệu
443Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.49 V 30 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120RWD Tube
onsemi IGBTs 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
Bảng dữ liệu
428Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-4 Through Hole SIngle 1.2 kV 1.65 V 20 V 80 A 384 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120SWD Tube

onsemi IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
Bảng dữ liệu
384Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.55 V - 20 V, 20 V 80 A 306 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120LQD Tube