Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NTBG060N065SC1

Name: onsemi NTBG060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG060N065SC1
Price: 12.27 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-NTBG060N065SC1

Số nhà sản xuất:

NTBG060N065SC1

Nsx:

onsemi

Mô tả:

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V

Bảng dữ liệu:

NTBG060N065SC1 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NTBG060N065SC1

Có hàng: 312

Tồn kho:: 312 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$12.27	$12.27
	$8.52	$85.20
	$6.74	$674.00
	$6.38	$3,190.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
	$6.38	$5,104.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	D2PAK-7
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	650 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	46 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	70 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.3 V
Qg - Điện tích cực cổng:	74 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	170 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	EliteSiC
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	11 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	12 S
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	14 ns
Sê-ri:	NTBG060N065SC1
Số lượng Kiện Gốc:	800
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	24 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	11 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NTBG060N065SC1 Bảng dữ liệu

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Mã Tuân Thủ

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Trung Quốc
Quốc gia lắp ráp:: Trung Quốc
Quốc gia phân phối:: Hàn Quốc

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

Heat Pumps

The heat pump stands as a cornerstone of the global shift towards secure and sustainable heating, harnessing low-emissions electricity to provide reliable warmth. While its primary function is heating, innovative reverse cycle models also offer cooling capabilities. Moreover, by efficiently recovering waste heat and elevating its temperature to practical levels, heat pumps hold immense potential for energy conservation. As businesses pivot towards a low-carbon future, there's a growing demand for more efficient power semiconductors. Balancing cost, footprint, and efficiency is paramount in this pursuit. onsemi Intelligent Power Modules (IPMs) emerge as a noteworthy solution within the heat pump market, offering compact design, high power density, and advanced control features.

NTBG060N065SC1 44mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBG060N065SC1 44mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a D2PAK-7L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTBG060N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.