Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

NVTFWS1D9N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS1D9N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS1D9N04XMTAG
Price: 1.18 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

863-VTFWS1D9N04XMTAG

Số nhà sản xuất:

NVTFWS1D9N04XMTAG

Nsx:

onsemi

Mô tả:

MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

NVTFWS1D9N04XMTAG Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về onsemi NVTFWS1D9N04XMTAG

Có hàng: 4,280

Tồn kho:: 4,280 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$1.18	$1.18
	$0.774	$7.74
	$0.642	$64.20
	$0.616	$308.00
	$0.584	$584.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1500)
	$0.58	$870.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	onsemi
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	WDFN-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	40 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	141 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	1.9 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	3.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	30 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	74 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	onsemi
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	18 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	81 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	14 ns
Sê-ri:	NVTFWS1D9N04XM
Số lượng Kiện Gốc:	1500
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	10 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	7 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

NVTFWS1D9N04XMTAG Bảng dữ liệu (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTFWS1D9N04XM MOSFET

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET offers a low R_DS(on) and capacitance in an AEC-Q101 qualified package. The MOSFET has a 40V drain-to-source voltage, 141A continuous drain current, and 1.9mΩ at 10V drain-to-source resistance. The onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET is housed in an µ8FL 3.3mm x 3.3mm small footprint package and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification applications.