NTMJS1D5N04CLTWG

onsemi
863-NTMJS1D5N04CLTWG
NTMJS1D5N04CLTWG

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 3,000

Tồn kho:
3,000 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
22 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Số lượng lớn hơn 3000 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$2.48 $2.48
$1.60 $16.00
$1.10 $110.00
$0.876 $438.00
$0.866 $866.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.717 $2,151.00
$0.706 $4,236.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
40 V
200 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Nhãn hiệu: onsemi
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 9 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 256 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 140 ns
Sê-ri: NTMJS1D5N04CL
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 31 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 15 ns
Đơn vị Khối lượng: 99.445 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET

onsemi NTMJS1D5N04CL 40V Industrial Power MOSFET features a small 5mm x 6mm footprint, low RDS(on), low Gate Charge (QG), and low capacitance. The low RDS(on) value helps to minimize conduction losses while the low QG and low capacitance minimize driver losses. This single N-channel power MOSFET is Pb-free, RoHS-compliant, and features a -55°C to +175°C operating temperature range.