IXYS MOSFET

Kết quả: 1,579
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Tiêu chuẩn
Thương hiệu
Đóng gói
IXYS MOSFETs 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-220
Bảng dữ liệu
300Có hàng
300Dự kiến 23/02/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms 30 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 230A 200V
Bảng dữ liệu
931Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube


IXYS MOSFETs ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
Bảng dữ liệu
366Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.7 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement ISOPLUS i5-PAC Tube
IXYS MOSFETs PLUS247 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
Bảng dữ liệu
273Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs MOSFET N CHANNEL
Bảng dữ liệu
2,990Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Bảng dữ liệu
736Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
Bảng dữ liệu
8,999Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Bảng dữ liệu
939Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
Bảng dữ liệu
1,536Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET
Bảng dữ liệu
1,148Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
Bảng dữ liệu
2,000Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A
Bảng dữ liệu
3,381Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
Bảng dữ liệu
3,278Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Bảng dữ liệu
1,552Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Bảng dữ liệu
3,552Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
Bảng dữ liệu
21,714Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 800 mA 4.6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Bảng dữ liệu
4,434Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TenchP Power MOSFET
Bảng dữ liệu
2,850Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
Bảng dữ liệu
2,991Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 80 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Linear Tube
IXYS MOSFETs ISOPLUS N-CH 75V 120A
Bảng dữ liệu
2,304Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 5.8 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Bảng dữ liệu
2,347Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 97 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
Bảng dữ liệu
307Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 2.5 kV 1.5 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
Bảng dữ liệu
267Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement PolarHT Tube
IXYS MOSFETs 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
Bảng dữ liệu
504Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Bảng dữ liệu
186Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube