Transistor JFET RF mới
CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.
-
CEL Low Noise FETs & ICsDeliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.7/9/2023
-
Qorvo pHEMT GaAs rời 1600µm QPD2160DCung cấp công suất đầu ra 32,5dbm tại P1dB, độ lợi 10,4db và hiệu suất bổ sung nguồn 63% tại 1dB.4/19/2022 -
Qorvo pHEMT GaAs rời 1200µm QPD2120DCung cấp công suất đầu ra 31dBm tại P1dB, độ lợi 11,5dB và hiệu suất bổ sung nguồn 57% tại 1dB.4/19/2022 -
Qorvo pHEMT GaAs rời 800µm QPD2080DCung cấp công suất đầu ra 29,5dBm tại P1dB, độ lợi 11,5dB và hiệu suất bổ sung nguồn 56% tại 1dB.4/19/2022 -
Qorvo pHEMT GaAs rời 600µm QPD2060DCung cấp công suất đầu ra 28dBm tại P1dB, độ lợi 12dB và hiệu suất bổ sung nguồn 55% tại 1dB.4/19/2022 -
Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT DieDesigned using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.2/14/2022 -
Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT DieUtilizes Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.2/14/2022 -
Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT DieDeveloped using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.2/14/2022